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DDR3的DQS_p/n信号电平摆幅变化不一致现象
阅读量:4249 次
发布时间:2019-05-26

本文共 317 字,大约阅读时间需要 1 分钟。

环境: zynq7100,  MT41J64M16

现象:

(1) 处理器读DDR3的操作,DQS_p/n信号与DQn信号一道,由DDR3发出,处理器接收。

测量发现,DQS信号电平摆幅低低高高的现象,摆幅高时能达到正常摆幅要求,低时只是正常摆幅的一半左右。

(2) 处理器写DDR3的操作,DQS_p/n与DQn一道,由处理器发出,DDR3接收。

测量信号正常,DQS信号差分摆幅一致,电平摆幅满足要求。

问题结论:细致测试发现,在读取DDR3的操作中,ODT信号有被处理器驱动变化的情况,这不符合DDR3手册中关于READ Operation时,ODT不允许变化的要求。

做出修改后,问题解决,READ操作时,DQS信号摆幅一致了。

转载地址:http://qcwei.baihongyu.com/

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